HMDS基片预处理系统-真空镀膜机
一·应用领域 HMDS基片预处理系统主要适用于硅片、砷化镓、陶瓷、不锈钢、铌酸锂、玻璃、蓝宝石、晶圆等材料,为基片在涂胶前改善表面活性,增加光刻胶与基底的粘附力的专用设备,也可用于晶片其它工艺的清洗,尤其在芯片研发和生产领域应用更加普及。
二. 满足标准 1、GB/T 29251-2012真空干燥箱 2、GB/T 11164-2011真空镀膜设备通用技术条件 3、JB/T 6922-2015 真空蒸发镀膜设备 4、SJ/T 11185-1998 蒸发镀膜设备通用规范 5、SJ/T 31083-2016 真空镀膜设备完好要求和检查评定方法
三. 应用背景 在半导体(芯片/集成电路)生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶,等现象,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。通过HMDS预处理系统预处理后,使基片表面涂布一层硅氧烷为主体的化合物,可以完全改善以上各种状况,从而大大提高了产品质量,降低次品率。
四. 工作原理 设备为PLC工控全自动运行,通过高温烘烤基片,去除其表面的水分,充入HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)气体,在高温作用下,基片表面和HMDS充分融合反应,生成以硅氧烷为主体的化合物,使基片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
五. 使用流程 启动真空泵使腔体内达到设定真空值,待腔内真空度达到某一高真空后,开始冲入氮气,然后再进行真空操作,再次充入氮气,经过反复真空充氮,可提高箱体内洁净度,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分,然后再次开始抽真空,冲入HMDS气体,在达到设定时间后停止充入,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当保持时间达到设定值后,再次开始抽真空,冲入氮气,完成整个作业过程。
六.技术参数
型号
DS-HMDS-50
DS-HMDS-90
DS-HMDS-210
DS-HMDS-250
控制系统
微电脑集成控制
温度范围
RT+10~200℃
温度波动度
≤±0.5℃
温度分辨率
0.1℃
可达真空度
≤133pa
观测窗
内层加厚钢化玻璃,外层高透亚克力
真空度
数显
真空泵
2XZ-2B
2XZ-4B
循环方式
对流循环
电源电压
AC220V/50Hz
AC380V/50Hz
内胆尺寸
410x370x345
450x450x450
560x640x600
600x600x700
外形尺寸
820x550x1285
860x630x1470
980x820x1750
1000x800x1850
定时范围
1~9999min
运行方式
定值运行 定时运行
附加功能
断电记忆 传感器偏差修正 自整定 内参锁止
容积
52L
91L
215L
252L
功率
1.65KW
2.65KW
3.6KW
4KW
七·产品亮点 1、控制采用PLC工控自动化系统,人机界面采用触摸屏,具有可靠性高,操作方便、直观等特点. 2、超大观测窗,外层采用透光度99%的亚克力板,内层采用高强度钢化玻璃,全程可视化监测。 3、内胆采用防腐防酸碱不锈钢,四角圆弧设计,易清洁。 4、去水烘烤和增粘(疏水)处理一机完成,无需转移,有效规避HMDS(六甲基二硅氮烷C6H19NSi2)泄露的危险。 5、处理更加均匀。由于它是以蒸汽的形式涂布到基片表面上,所以比液态涂布更均匀。 6、效率高。液态涂布是单片操作,而本系统一次可以处理多达4~20盒的晶片。 7、更加节省药液。以蒸汽的形式涂布到晶片表面上,一次可以处理多达4~20盒的晶片,更加节省药液; 8、更加环保和安全,HMDS是有毒化学药品,人吸入后会出现反胃、呕吐、腹痛、刺激胸部、呼吸道等,由于整个过程是在密闭的环境下完成的,所以人接触不到药液及其蒸汽,也就更加安全,它的尾气是直接由机械泵抽到尾气处理机,降低对环境的污染。
八.安全保护 1、超温报警 2、过流过载保护 3、快速熔断器 4、接地保护 5、缺相保护 6、漏电保护器
九· 特别注意 1、HMDS基片预处理系统测试条件:空载、无强磁、无震动、环境温度20℃、环境相对湿度50%RH。 2、本公司可根据客户不同需要,设计,制造各种相关温度、湿度、真空度、洁净度、气体浓度等参数的箱体设备。
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