氢气原位质量法‌是一种利用化学反应去除特定干扰的分析方法，特别适用于ICP-MS（电感耦合等离子体质谱仪）分析中的复杂样品。这种方法通过在反应池中引入氢气（H2）和氧气（O2）等反应气，使得分析物或干扰物在反应池中与反应气发生反应，生成一个新的质量数的产物离子。通过这种质量转移或原位质量的方法，可以避开原质量数的干扰，从而提高分析的准确性和灵敏度。例如，在ICP-MS分析中，通过这种方法可以解决一些分析难题，如去除干扰元素对目标元素的干扰，从而获得更准确的元素分析结果‌。

‌氢气原位质量法‌的应用不只限于ICP-MS分析，还在其他领域中发挥着重要作用。例如，在提高氮化铝晶体质量的方法中，氢气原位刻蚀技术被用来在MOCVD设备中进行高温原位刻蚀，通过形成密集的孔洞层并促进位错的湮灭，提高外延层的晶体质量。这种方法通过高温原位刻蚀技术，在第1次高温外延层和第二次高温外延层之间形成密集的孔洞层，通过提升侧向生长速率使孔洞逐渐合并，降低外延层中的位错密度，从而提高晶体质量‌。

半导体技术领域

在半导体行业中，每个工艺流程中引入的杂质污染，都有可能造成半导体器件缺陷。半导体器件的整个制造过程中会用到多种化学品，例如过氧化氢（H2O2）、盐酸（HCl）、硫酸（H2SO4）等，进行清洗和蚀刻。

过氧化氢 ：作为强氧化剂，可用于清洗硅片、去除光刻

硝酸和氢氟酸混合物，混合物用于蚀刻单晶硅和多晶硅硫酸与过氧化氢的混合物可用于晶圆加工过程的清洗盐酸用于去除硅片表面的有机和金属残留等杂质

随着半导体器件性能的持续提高，对杂质的控制要求也更加严格，所用化学品中的痕量的杂质会影响最终产品的性能和产量。国际半导体设备与材料产业协会 (SEMI) 发布了有关高纯试剂性能指标的标准, 规定绝大多数杂质元素的含量不超过 10 ppt。

所以，制造半导体器件时，需要对清洗和蚀刻硅片过程中使用的化学品中的痕量污染物进行常规监测，必须尽可能地将痕量污染控制在minimum浓度，ICP-MS 就是普遍采用的一种监测工具。